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快科技12月18日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正加速布局下一代DRAM技術(shù)，在第六代DRAM尚未量產(chǎn)之際，已著手建立第七代（1d）DRAM的測(cè)試線。

報(bào)道稱，三星已在平澤P2廠建置10納米級(jí)的第七代DRAM測(cè)試線，并預(yù)計(jì)明年第一季度完全建成，以提高良率并拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)差距。

這條被稱為“單路徑線”的測(cè)試線，將用于測(cè)試新半導(dǎo)體產(chǎn)品的量產(chǎn)潛力，一旦下一代芯片性能在研發(fā)階段確定，就會(huì)在此引進(jìn)晶圓，開始提高量產(chǎn)良率。

目前尚不確定平澤10納米級(jí)第七代DRAM廠房的規(guī)模，但通常安裝測(cè)試線每月可處理約1萬片晶圓。

三星計(jì)劃在2026年前量產(chǎn)第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM計(jì)劃明年（2025年）量產(chǎn)，因此，第七代測(cè)試線與第六代DRAM量產(chǎn)的準(zhǔn)備工作同步進(jìn)行。

業(yè)界認(rèn)為，三星在第六代DRAM還未進(jìn)入量產(chǎn)階段前就為第七代建置廠房，是為了明年重奪優(yōu)勢(shì)的起步年所進(jìn)行的投資。

三星HBM市場(chǎng)被第二大公司SK海力士奪走，10納米級(jí)第六代內(nèi)存的開發(fā)速度也落后于對(duì)手，為了奪回領(lǐng)導(dǎo)地位，三星必須加快產(chǎn)品開發(fā)速度。

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